聚焦离子束，Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。　　FIB技术的在芯片设计及加工过程中的应用介绍：　　1.IC芯片电路修改　　用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。　　FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。　　2.Cross-Section 截面分析　　用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。　　3.Probing Pad　　在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或 E-beam直接观测IC内部信号。　　4.FIB透射电镜样品制备　　这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒，对于纤维状试样，既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜，该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。　　5.材料的鉴定　　材料中每一个晶向的排列方向不同，可以利用遂穿对比图像进行晶界或晶粒大小分布的分析。另外，也可加装EDS或SIMS进行元素组成分析。FIB测试，FIB检测，FIB 是英文 Focused Ion Beam的缩写,依字面翻译为聚焦离子束.简单的说就是将Ga(镓)元素离子化成Ga+, 然后利用电场加速.再利用静电透镜(electrostatic)聚焦,将高能量(高速)的Ga+打到指定的点. 基本原理与SEM类似,仅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB聚焦离子束是针对样品进行平面、界面进行微观分析。检测流程包括：样品制定、上机分析、拍照等，最后提供界面相片等数据。主要用途：1、电路修正, 用于验证原型,改善bug，节省开支，增快上市时间。2、纵面的结构分析可直接于样品上处理,不需额外样品准备。3、材料分析-TEM样品制备,用于精确定点试片制作,减低定点试片研磨所需人员经验的依赖。4、电压对比、用于判定Metal(Via/Contact)是否floating。5、Grain(晶粒)形状大小的判定SEM测试，SEM检测。1. 原理 SEM的工作原理是用一束极细的电子束扫描样品，在样品表面激发出次级电子，次级电子的多少与电子束入射角有关，也就是说与样品的表面结构有关，次级电子由探测体收集，并在那里被闪烁器转变为光信号，再经光电倍增管和放大器转变为电信号来控制荧光屏上电子束的强度，显示出与电子束同步的扫描图像。图像为立体形象，反映了标本的表面结构。2. 性能设备能够满足可以观察直径为0～200mm（8〞wafer）的试样。 放大倍率：×5～×300,000设备能够满足可以观察直径为0～200mm（8〞wafer）的试样。 放大倍率：×5～×300,000深圳市美信检测术有限公司（简称MTT）是从事工业与消费产品测试、检验与验证并具有第三方公正地位的专业检验机构。一. 环境可靠性检测：1.其中气候环境包含：高低温试验，交变温湿热（温变1-2℃/min)，快速温度循环试验（温变最快20℃/min），温度冲击试验，高温高湿试验，恒定湿热试验，盐雾腐蚀试验(中性盐雾、醋酸盐雾、同加速乙酸盐雾、交变盐雾），防尘防水检测（IP等级测试）（防尘试验IP1X-6X、防水试验IPX1-X8），IK等级测试、低气压试验，高压蒸煮试验（HAST），人工汗液测试，气体腐蚀试验，耐焊接热，沾锡性，UL94阻燃试验，UV老化试验（荧光紫外灯），太阳辐射试验（氙灯老化、卤素灯）等等；2.其中机械环境包含：振动试验（随机振动，正扫频振动，定频振动），模拟汽输车运试验，碰撞试验，机械冲击试验（半正弦波、方波、后峰锯齿波），跌落试验(1m和1.5m), G值跌落，滚筒跌落试验（0.5m和1m)，斜面冲击试验，堆码压力试验，水平挤压试验，温湿度+振动三综合试验，高加速寿命试验（HALT），高加速应力筛选（HASS、HASA），插拔寿命试验（插拔力、拔出力），钢球冲击试验，按键寿命试验，点划寿命试验，软压试验、摇摆试验，铅笔硬度测试，耐磨擦测试，附着力测试，切片分析，FIB测试，SEM测试，百格测试等；3.其中电气性能包含：表面电阻，接触电阻，绝缘电阻，耐电压，温升试验，摩擦电压、静电消散时间等等；