频率范围80MHz~1000MHz
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辐射抗扰度试验等级
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辐射抗扰度试验场强(V/m,场强未调制)
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1
2
3
X
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1
3
10
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特定
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1)X是一个开放等级,可在产品规范中规定
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频率范围800MHz~960MHz以及1400MHz~2000MHz
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辐射抗扰度试验等级
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试验场强(V/m,场强未调制)
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1
2
3
4
X
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1
3
10
30
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特定
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1)X是一个开放等级,可在产品规范中规定
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5.2 试验场地的校准 试验场地校准的目的是为确保试样周围的场充分均匀,以保证试验结果的有效性。场地校准中用到的均匀场是一个假想的垂直平面,在该平面中电磁场的变化足够小,其面积为1.5m×1.5m.对于半电波暗室,由于无法在接近参考地平面处建立均匀场,因此假想的均匀场立参考地面的高度不得低于0.8m,实际辐射抗扰度(RS)测试过程中,被测设备也尽可能放在同样的高度。场校准的具体要求如下:场地均匀性校准的目的是为今后试验时的天线和被测设备的距离提供依据,优先采用3m法。 场地均匀性校准是在被测设备没有放入的情况下进行的,否则场的均匀性会因为被测设备的存在而产生畸变,场地校准时的布置如下图所示 场地均匀性校准时,信号发生器不用1kHz正弦波80%幅度进行,而是直接将信号发生器产生的射频信号送到功率放大器放大后经天线发到测试场地。 场地均匀性校准时用各相同性的场强探头放在1.5m见方的假想平面上,每隔0.5m作为一个测试点,总共16个点,如下图所示场均匀性区域。要求在整个频率范围内记录所有16个点的场强,标准要求其中至少要有12个点的场强容差0~+6dB的范围以内,则认为在规定的区域内75%的表面场的幅值之差6dB,校准时所用的场强就作为实际测试时采用的场强。 如果被测设备表面大于1.5m×1.5m,那末可以采用局部照射法或者将发射天线在不同的位置进行校准,使得组合后的校准区域能够完全覆盖被测设备的表面。 辐射抗扰度(RS)试验按照下图的布置对半电波暗室进行场均匀性校准,校准时可以采用以下两种方法的任意一种,使用未调制的载波信号对水平和垂直极化分别进行校准。校准时使用的场强至少为将要施加给被测设备的场强1.8倍,以确保放大器能处理调制信号而不饱和。两种校准方法所得的结果是相同的。
A. 恒定场强校准法
1. 将场强探头放在上图中16个点的任意一点上,调节信号发生器的频率到试验频率范围的下限80M Hz。
2. 调节功率放大器的功率,使得场强探头测到的场强等于测试时所需要的场强的1.8倍,并记录此时发射天线的正向功率。
3. 以当前频率的1%为最大增量增加频率。
4. 重复步骤2和步骤3,直至下一频率超出试验频率的上限频率,最后在上限频率处重复步骤2。
5. 将场强探头移到16个点中的下一个测试点,重复进行步骤2到步骤5。
6. 将16个点的正向功率按升序排列。
7. 从最大读数开始检查,向下至少应当有11个点的读数在最大读数的-6 dB ~+0dB容差以内。
8. 如果没有11个点的读数在最大读数的-6 dB ~+0dB容差范围,按同样的程序向下继续检查其他点的数据
9. 如果至少有12个点的读数在最大读数的-6 dB ~+0dB容差范围,则停止检查,并记录这些读数的最大正向功率值。
B. 恒定功率校准法
1. 将场强探头放在上图中16个点的任意一点上,调节信号发生器的频率到试验频率范围的下限80M Hz。
2. 调节功率放大器的功率,使得场强探头测到的场强等于测试时所需要的场强的1.8倍,并记录此时发射天线的正向功率以及此时的场强值。
3. 以当前频率的1%为最大增量增加频率。
4. 重复步骤2和步骤3,直至下一频率超出试验频率的上限频率,最后在上限频率处重复步骤2。
5. 将场强探头移到16个点中的下一个测试点,重复进行步骤2到步骤5,并记录场强和施加的正向功率值。
6. 将16个点的场强值按升序排列。
7. 选择某点的场强值作为参考,计算其他所有点与该点场强的差值。
8. 从场强的最小读数开始检查,向上至少应当有11个点的读数在最小读数的-0 dB ~+6dB容差范围。
9. 如果没有11个点的读数在-0 dB ~+6dB容差范围,则按同样的程序向上继续检查其他点的数据。
10. 如果至少有12个点的读数在-0dB ~+6dB容差范围,则停止检查,从这些读数中找出最小的场强值作为参考点。
11. 计算出建立该参考点的场强所需要的正向功率值。
5.3 辐射抗扰度试验试验布置以及测试方法
A. 辐射抗扰度(RS)试验布置
台式设备试验布置
落地式设备试验布置
B. 辐射抗扰度(RS)试验方法 被测设备与发射天线的距离优先采用3米,该距离是指被测设备表面到双锥天线的中心或对数周期天线的顶端的距离。辐射抗扰度(RS)试验在对测量结果有异议的情况下,优先采用3米距离测试。
台式设备应放在一个0.8米高的绝缘试验桌上,落地式设备应放在参考地平面上面0.1m高的绝缘支架上。如果设备被设计为安装在一个面板、支架和机柜上,那么它应该在这种配置下进行测试。当需要用一种方式支撑测试样品时, 这种支撑应由非金属、非导电材料构成,以防止引起场的畸变。被测设备应尽可能在实际工作状态下运行,设备布线应按照生产厂推荐的方式。如果厂商没有规定,测试时应当使用非屏蔽平行导线,从被测设备引出的连线在电磁场中暴露的距离为1米。过长的导线应捆扎成1米长的感应较小的线束。
辐射抗扰度(RS)试验前应当用场强探头检查所建立侧场强是否满足测试要求,发射天线、吸波材料和电缆的位置是否与场校准的布置一致。验证合格后可以使用场校准中得到的数据来产生试验场强。
依次将被测设备的每个侧面放在场校准的平面位置,分水平和垂直极化对被测设备施加测试场强。如果被测设备有几个部分组成,当从各个侧面进行试验时,不需要改变去内部任一部件的位置。 用1kHz正弦波对射频信号进行80%的幅度调制后,在选定的频率范围内进行扫频测试,在每个频点上,调制后的射频信号扫描的驻留时间不应小于被测设备动作响应所需要的时间,而且不得短于0.5s。对敏感点则应个别考虑。
6 最新版国际标准IEC61000-4-3:2006与GB/T17626.3:2006的主要变化
要求检查功放的线性特性 最新标准要求对功放的线性特性进行检查,以确保放大器能处理调制信号而不饱和。检查方法如下:
将信号源输出信号减少5.1dB纪录功率计的读数,并计算与校准时前向功率的差值。
如果该差值大于5.1dB则说明功放非线性。
其中5.1dB来自:
规定了测量系统的谐波失真度必须小于6dB
测试系统包括信号发生器,功放,天线等,系统所产生的所有谐波必须比基波低6dB
测量频率范围扩展到6GHz
标准中将1.4GHz~2GHz扩展为1.4GHz~6GHz,主要考虑到更高频率的无线通讯设备和其他发射体的广泛使用,并且标准没有规定在所有的频段都采用一个试验场强,具体情况应当依据设备或产品使用或销售的地点不同,测试的等级和频率范围也不同,这点由产品标准规定。
规定高于1GHz以上可以用较小的均匀窗代替1.5m×1.5m均匀场
当辐射抗扰度(RS)测试频率高于1GHz以上时,可以用较小的均匀窗代替1.5m×1.5m均匀场,如下图所示,可以在1米测试距离,用9个0.5m×0.5m均匀窗或0.5m×1.0m以及其他尺寸均匀窗代替1.5m×1.5m均匀场进行试验。主要因为:随着频率的升高,所使用的天线不足以覆盖整个1.5m×1.5m均匀场,另外随着频率的升高所需要的功放的费用也急剧上升。
新校准是采用1.8倍的测量场强进行场校准使用1.8倍的测量场强值进行场均匀性的校准。主要原因是为了检查射频功放在用1kHz正弦波80%幅度调制时能不能达到所需要的场强。
辐射抗扰度(RS)频率范围80MHz~1000MHz、800MHz~960MHz以及1400MHz~6000MHz
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辐射抗扰度试验场强(V/m,场强未调制)
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校准场强(V/m,场强未调制)
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1
3
10
30
试验场强(V/m,场强未调制)
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1×1.8
3×1.8
10×1.8
30×1.8
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校准场强(V/m,场强未调制) |